| 发明名称 | 二极管阳极结构、纵向二极管以及横向二极管 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种二极管阳极结构、纵向二极管以及横向二极管，涉及半导体技术领域，其中，所述二极管阳极结构包括：半导体层；至少两个第一肖特基金属层，位于所述半导体层上，与所述半导体层形成肖特基接触，得到第一肖特基势垒高度；至少一个第二肖特基金属层，位于所述半导体层上，且位于所述第一肖特基金属层之间，与所述半导体层形成肖特基接触，得到第二肖特基势垒高度。采用上述技术方案，在阳极区域与半导体形成两种势垒高度，在二极管反向关断时，第一肖特基势垒高度可以降低反向漏电，在二极管正向开启时，第二肖特基势垒高度可以降低正向开启电压，采用上述二极管阳极结构，可以保证提高二极管使用效率。 | ||
| 申请公布号 | CN106298977A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201610944884.5 | 申请日期 | 2016.10.26 |
| 申请人 | 苏州捷芯威半导体有限公司 | 发明人 | 邓光敏;裴轶 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 孟金喆;胡彬 |
| 主权项 | 一种二极管阳极结构，其特征在于，包括：半导体层；至少两个第一肖特基金属层，位于所述半导体层上，与所述半导体层形成肖特基接触，得到第一肖特基势垒高度；至少一个第二肖特基金属层，位于所述半导体层上，且位于所述第一肖特基金属层之间，与所述半导体层形成肖特基接触，得到第二肖特基势垒高度。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-B室 | ||