| 发明名称 | 一种免电激活互补阻变存储器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种免电激活互补阻变存储器及其制备方法。该存储器由初始态为低阻态的阻变存储器与初始态为高阻态的阻变存储器串联而成，器件结构由底部至顶端依次为底电极、初始低阻态存储功能层、中间电极、初始高阻态存储功能层和顶电极。其制备方法包括以下步骤：(1)清洗衬底；(2)采用物理气相沉积法形成底电极；(3)采用磁控溅射法沉积初始低阻态存储功能层；(4)采用物理气相沉积法形成中间电极；(5)采用原子层沉积法形成初始高阻态存储功能层；(6)采用物理气相沉积法形成顶电极。本发明的阻变存储器具有免电激活特性，适用于具有交叉阵列结构的3维高密度集成的阻变存储器件。 | ||
| 申请公布号 | CN106299111A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510349432.8 | 申请日期 | 2015.06.23 |
| 申请人 | 北京有色金属研究总院 | 发明人 | 赵鸿滨;屠海令;魏峰;杨志民;陈博昊 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人 | 刘秀青 |
| 主权项 | 一种免电激活互补阻变存储器，其特征在于，该存储器由初始态为低阻态的阻变存储器与初始态为高阻态的阻变存储器串联而成，器件结构由底部至顶端依次为底电极、初始低阻态存储功能层、中间电极、初始高阻态存储功能层和顶电极。 | ||
| 地址 | 100088 北京市西城区新街口外大街2号 | ||