| 发明名称 | 一种功率半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种功率半导体器件及其制造方法，该功率半导体器件包括划片道区与多个芯片区，划片道区用于分隔多个芯片区，每个芯片区包括截止环区，截止环区邻接划片道区，截止环区上覆盖有金属层，金属层的一部分设置在划片道区上。本发明打破不在划片道内设置金属的传统做法，将靠近划片道区侧的截止环区域的金属层放置到划片道内，节省了截止环区的面积，进而减小了半导体功率器件的面积，降低了成本。 | ||
| 申请公布号 | CN106298869A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510300081.1 | 申请日期 | 2015.06.03 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 马万里;闻正锋;赵文魁 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 李相雨 |
| 主权项 | 一种功率半导体器件，包括划片道区与多个芯片区，所述划片道区用于分隔所述多个芯片区，其特征在于：每个所述芯片区包括截止环区，所述截止环区邻接所述划片道区，所述截止环区上覆盖有金属层，所述金属层的一部分设置在所述划片道区上。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦 | ||