发明名称 |
一种检测连接栅极的首层金属块刻蚀不足缺陷的方法 |
摘要 |
一种在线检测多晶硅栅的首层金属块刻蚀不足缺陷的方法,其包括:在测试模块区域建立多晶硅测试模块的图形,多晶硅测试模块的图形工艺包括有源区图形工艺、多晶硅栅图形工艺、接触孔图形工艺和首层金属互连层图形工艺的形成,其中,有源区图形、接触孔图形和首层金属互连层图形的结构与连接状况,采用与被检测产品相同的SRAM结构和连接状况;在测试模块区域通过调整多晶硅栅图形以及离子注入工艺使所有接触孔变成导通状况;在进行晶圆流片到金属互连层填金属并平坦化步骤后,应用电子束缺陷扫描仪进行检测。 |
申请公布号 |
CN106298572A |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201610804779.1 |
申请日期 |
2016.09.06 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
范荣伟;陈宏璘;龙吟;顾晓芳 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;陈慧弘 |
主权项 |
一种在线检测多晶硅栅的首层金属块刻蚀不足缺陷的方法,其特征在于,包括:步骤S1:在测试模块区域建立多晶硅测试模块的图形,所述多晶硅测试模块的图形工艺包括有源区图形工艺、多晶硅栅图形工艺、接触孔图形工艺和首层金属互连层图形工艺的形成,其中,所述有源区图形、接触孔图形和首层金属互连层图形的结构与连接状况,采用与被检测产品相同的SRAM结构和连接状况;步骤S2在测试模块区域通过调整多晶硅栅图形以及通过离子注入工艺使所有接触孔变成导通状况;步骤S3:在进行晶圆流片到所述金属互连层填金属并平坦化步骤后,应用电子束缺陷扫描仪进行检测。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |