一种基于光子晶体结构的量子点发光二极管及制备方法

摘要

本发明公开一种基于光子晶体结构的量子点发光二极管及制备方法，方法包括：在基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层和量子点发光层；然后在量子点发光层上制备一层有机聚合物，随后将有机聚合物制成具有光子晶体结构的电子阻隔层；在电子阻隔层上依次制备电子传输层和电子注入层；在电子注入层上蒸镀一阴极，形成QLED。本发明在量子点发光层上沉积一层功能材料，然后利用飞秒激光多光束干涉法或其他方法制备出具有光子晶体结构的电子阻隔层，利用光子晶体的表面效应，从而有效利用量子点射向金属电极一侧的光，提高量子点发光二极管的出光效率。

主权项

一种基于光子晶体结构的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、在基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层和量子点发光层；B、然后在量子点发光层上制备一层有机聚合物，随后将有机聚合物制成具有光子晶体结构的电子阻隔层；C、在电子阻隔层上依次制备电子传输层和电子注入层；D、在电子注入层上蒸镀一阴极，形成QLED。