| 发明名称 | 一种掺杂的氧化锆薄膜、QLED及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种掺杂的氧化锆薄膜、QLED及制备方法。制备方法包括步骤：在锆的醇盐中加入铌的醇盐、钛的醇盐、乙醇胺、二乙醇胺或者乙二醇胺，然后将混合液沉积到含有底电极的衬底上，再退火处理，以在含有底电极的衬底上生成掺杂的氧化锆薄膜。本发明通过在氧化锆中掺杂氮、钛或者铌元素使得氧化锆中产生更多的施主中心，进而提高氧化锆的电子迁移率；同时通过将氧化锆中掺杂其它元素，也可以改变氧化锆功函数，使其可匹配更多的量子点能级，可广泛应用在QLED器件中。 | ||
| 申请公布号 | CN106299063A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201610840704.9 | 申请日期 | 2016.09.22 |
| 申请人 | TCL集团股份有限公司 | 发明人 | 王宇;曹蔚然 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
| 代理机构 | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人 | 王永文;刘文求 |
| 主权项 | 一种掺杂的氧化锆薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：在锆的醇盐中加入铌的醇盐、钛的醇盐、乙醇胺、二乙醇胺或者乙二醇胺，然后将混合液沉积到含有底电极的衬底上，再退火处理，以在含有底电极的衬底上生成掺杂的氧化锆薄膜。 | ||
| 地址 | 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 | ||