| 摘要 |
반도체 장치 구조물 및 그 형성 방법이 제공된다. 반도체 장치 구조물은 기판 및 기판 상에 형성된 게이트 스택 구조물을 포함한다. 반도체 장치 구조물은 또한 게이트 스택 구조물의 측벽 상에 형성된 게이트 스페이서를 포함하고, 게이트 스페이서는 상부 및 상부에 인접하는 하부를 포함하고, 하부는 기판의 상면으로 기울어진다. 반도체 장치 구조물은 게이트 스페이서에 인접하여 형성된 에피택셜 구조물을 더 포함하고, 에피택셜 구조물은 게이트 스페이서 아래에 형성된다. |
