发明名称 |
电连接结构、阵列基板及绝缘覆盖层的制作方法 |
摘要 |
一种电连接结构的制作方法,包括:提供相互电性连接的连接垫与连接线,该连接垫与该连接线均为金属层;形成覆盖所述连接线的绝缘覆盖层;以及通过一掩膜对所述绝缘覆盖层进行曝光,其中,所述掩膜包括一第一半透光区与一第二半透光区,所述第一半透光区对应所述距离该绝缘覆盖层较近的金属层的位置,所述第二半透光区对应其他区域设置,所述第一半透光区的透光率低于所述第二半透光区的透光率。本发明还提供一种阵列基板的制作方法以及一种绝缘覆盖层的制作方法。本发明所由于在曝光时使用不同透光率的掩膜遮蔽所述绝缘覆盖层,能够有效的降低在曝光时绝缘覆盖层与金属层对应位置的光线强度,使绝缘覆盖层不易被光线破坏,得到平坦的绝缘覆盖层。 |
申请公布号 |
CN106292171A |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201510284056.9 |
申请日期 |
2015.05.29 |
申请人 |
鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
发明人 |
廖金阅;刘家麟;戴延樘;吕宏哲 |
分类号 |
G03F1/32(2012.01)I;G02F1/1333(2006.01)I;G02F1/1345(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/32(2012.01)I |
代理机构 |
深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 |
代理人 |
汪飞亚 |
主权项 |
一种电连接结构的制作方法,包括:提供相互电性连接的连接垫与连接线,该连接垫与该连接线均为金属层;形成覆盖所述连接线的绝缘覆盖层;以及通过一掩膜对所述绝缘覆盖层进行曝光,其中,所述掩膜包括一第一半透光区与一第二半透光区,所述第一半透光区对应所述距离该绝缘覆盖层较近的金属层的位置,所述第二半透光区对应其他区域设置,所述第一半透光区的透光率低于所述第二半透光区的透光率。 |
地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |