发明名称 一种采用延迟放大结构的CMOS电路老化传感器
摘要 本发明公开了一种采用延迟放大结构的CMOS电路老化传感器,包括参考延时电路、延时检测电路、延时放大器、数字量化电路、SR锁存器、第一二输入与门和第一反相器,参考延时电路和延时检测电路连接,参考延时电路的时钟输出端和延时检测电路的第三输入端连接,参考延时电路的第二输出端分别与第一二输入与门的第一输入端和延时放大器的第一输入端连接,延时检测电路的输出端和SR锁存器的第一输入端连接,SR锁存器的输出端和延时放大器的第二输入端连接,延时放大器和第一反相器连接,第一反相器的输出端和第一二输入与门的第二输入端连接,第一二输入与门的输出端和数字量化电路的输入端连接;优点是可以克服环境噪声等方面的干扰,监测精度较高。
申请公布号 CN106291322A 申请公布日期 2017.01.04
申请号 CN201610647150.0 申请日期 2016.08.08
申请人 宁波大学 发明人 丁代鲁;张跃军;汪鹏君;钱浩宇;李刚
分类号 G01R31/28(2006.01)I;H03F3/68(2006.01)I 主分类号 G01R31/28(2006.01)I
代理机构 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 代理人 方小惠
主权项 一种采用延迟放大结构的CMOS电路老化传感器,其特征在于包括参考延时电路、延时检测电路、延时放大器、数字量化电路、SR锁存器、第一二输入与门和第一反相器,所述的参考延时电路具有使能端、时钟输入端、时钟输出端、第一输出端和第二输出端,所述的延时检测电路具有第一输入端、第二输入端、第三输入端和输出端,所述的延时放大器具有第一输入端、第二输入端和输出端,所述的数字量化电路具有输入端和N位输出端,所述的SR锁存器具有第一输入端、第二输入端和输出端,所述的第一二输入与门具有第一输入端、第二输入端和输出端,所述的参考延时电路的第一输出端和所述的延时检测电路的第一输入端连接,所述的参考延时电路的时钟输出端和所述的延时检测电路的第三输入端连接,所述的参考延时电路的第二输出端分别与所述的第一二输入与门的第一输入端和所述的延时放大器的第一输入端连接,所述的延时检测电路的输出端和所述的SR锁存器的第一输入端连接,所述的SR锁存器的输出端和所述的延时放大器的第二输入端连接,所述的延时放大器的输出端和所述的第一反相器的输入端连接,所述的第一反相器的输出端和所述的第一二输入与门的第二输入端连接,所述的第一二输入与门的输出端和所述的数字量化电路的输入端连接;所述的参考延时电路的使能端为所述的老化传感器的使能端,用于将接入外部使能信号,所述的参考延时电路的时钟输入端为所述的老化传感器的时钟端,用于接入外部时钟信号,所述的延时检测电路的第二输入端为所述的老化传感器的输入端,用于接入老化信号,所述的SR锁存器的第二输入端为所述的老化传感器的复位端,用于接入复位信号。
地址 315211 浙江省宁波市江北区风华路818号