发明名称 |
化学气相沉积装置及其沉积方法 |
摘要 |
本发明公开了一种化学气相沉积反应装置,包括:反应室,内部设置基片托盘及旋转轴,基片托盘用以支撑若干基片,进气装置,位于所述基片承载装置上方,用于提供流向基片表面的反应气体,所述进气装置与所述基片承载装置之间形成一反应区域;所述基片承载装置中心区域设置排气系统;环绕所述基片承载装置设置环形边缘排气系统;所述每片基片表面的反应气体及副反应气体同时经排气系统和边缘排气系统排出反应室外。本发明可以有效调节基片表面的薄膜沉积良率和均匀性。 |
申请公布号 |
CN106282969A |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201510294433.7 |
申请日期 |
2015.06.02 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
幸沛锦;杜志游 |
分类号 |
C23C16/44(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/44(2006.01)I |
代理机构 |
上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 |
代理人 |
徐雯琼;张静洁 |
主权项 |
一种化学气相沉积反应装置,其特征在于,包括:反应室,内部设置支撑若干基片的基片托盘、支撑并带动所述基片托盘旋转的旋转轴,所述基片托盘的中心区域设置至少一贯通所述基片托盘的上下表面的开口;进气装置,位于所述基片托盘上方,用于提供流向基片表面的反应气体,所述进气装置与所述基片托盘之间形成一反应区域;所述反应室内部的中心区域设置一中央排气系统,所述中央排气系统位于所述基片托盘的开口下方,并与所述开口流体联通;环绕所述基片托盘及旋转轴外围设置一边缘排气系统;其中,经过所述基片表面的反应气体及副反应气体同时经由所述中央排气系统和所述边缘排气系统排出反应室外。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |