发明名称 一种添加泡沫铜中间层改善TC4与陶瓷钎焊性能的方法
摘要 一种添加泡沫铜中间层改善TC4与陶瓷钎焊性能的方法,本发明涉及改善TC4与陶瓷钎焊性能的方法。本发明要解决现有TC4钎焊过程中陶瓷侧极易生成连续的脆性化合物反应层,以及因陶瓷与TC4热胀系数相差大而导致接头残余应力较大,造成接头力学性能差的问题。方法:将钛合金TC4、钎料箔片、陶瓷、钎料箔片及泡沫铜进行预处理,然后依次叠放,得到待焊件,将待焊件置于真空钎焊炉中,抽真空,并在高温下保温,最后冷却至室温,即完成添加泡沫铜中间层改善TC4与陶瓷钎焊性能的方法。本发明用于一种添加泡沫铜中间层改善TC4与陶瓷钎焊性能的方法。
申请公布号 CN106270889A 申请公布日期 2017.01.04
申请号 CN201610832001.1 申请日期 2016.09.19
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 亓钧雷;霸金;李天啸;罗大林;王刚;冯吉才
分类号 B23K1/19(2006.01)I;B23K1/20(2006.01)I 主分类号 B23K1/19(2006.01)I
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人 李红媛
主权项 一种添加泡沫铜中间层改善TC4与陶瓷钎焊性能的方法,其特征在于一种添加泡沫铜中间层改善TC4与陶瓷钎焊性能的方法是按照以下步骤进行的:一、将钛合金TC4与钎料箔片依次用200目、400目、600目及800目砂纸打磨,然后用丙酮超声预处理10min~20min,得到去除表面杂质的钛合金TC4和去除表面杂质的钎料箔片;将陶瓷用800目砂纸打磨并用丙酮超声预处理10min~20min,得到去除表面杂质的陶瓷;二、将泡沫铜用丙酮超声预处理10min~20min,得到去除表面杂质的泡沫铜;三、将去除表面杂质的钛合金TC4、去除表面杂质的钎料箔片、去除表面杂质的泡沫铜、去除表面杂质的钎料箔片及去除表面杂质的陶瓷依次叠放,得到待焊件,将待焊件置于真空钎焊炉中,在压强为1×10<sup>‑4</sup>Pa~5×10<sup>‑3</sup>Pa及温度为800℃~1200℃的条件下,保温1min~20min,然后以降温速度为2℃/min~10℃/min,将温度由800℃~1200℃冷却至室温,即完成添加泡沫铜中间层改善TC4与陶瓷钎焊性能的方法。
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号