基于InP衬底的五结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于InP衬底的五结太阳能电池，包括InP衬底，以及在所述InP衬底上依次设置的InGaAsP第一子电池、第一隧道结、InGaAsP第二子电池、第二隧道结、InGaAsP第三子电池、渐变缓冲层、第三隧道结、InGaP第四子电池、第四隧道结、InAlGaP第五子电池和InGaAs接触层。本发明还公开了如上五结太阳能电池的制备方法。本发明提供的五结太阳能电池前三结子电池与InP衬底晶格匹配，后两结In(Al)GaP子电池晶格异变，通过合理的带宽选择实现子电池间的电流匹配，从而达到较高的光电转换效率。

主权项

一种基于InP衬底的五结太阳能电池，其特征在于，包括InP衬底，还包括：在所述InP衬底上依次设置的InGaAsP第一子电池、第一隧道结、InGaAsP第二子电池、第二隧道结、InGaAsP第三子电池、渐变缓冲层、第三隧道结、InGaP第四子电池、第四隧道结、InAlGaP第五子电池和InGaAs接触层。