| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管，包括：基板；栅极，设置在该基板上；栅极绝缘层覆盖该栅极；沟道层，设置在该栅极绝缘层上；蚀刻阻挡层，设置在该沟道层上，且该蚀刻阻挡层定义第一通孔与第二通孔；源极设置在该蚀刻阻挡层上经该第一通孔与该沟道层连接，且沿该蚀刻阻挡层延伸到该栅极绝缘层；及汲极设置在该蚀刻阻挡层上经该第二通孔与该沟道层连接，且沿该蚀刻阻挡层延伸到该栅极绝缘层。本发明还涉及一种薄膜晶体管的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN106298950A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510174388.1 | 申请日期 | 2015.04.14 |
| 申请人 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 方国龙;高逸群;林欣桦;李志隆;施博理 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人 | 汪飞亚 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：基板；栅极，设置在该基板上；栅极绝缘层覆盖该栅极；沟道层，设置在该栅极绝缘层上；蚀刻阻挡层，设置在该沟道层上，且该蚀刻阻挡层定义第一通孔与第二通孔；源极设置在该蚀刻阻挡层上经该第一通孔与该沟道层连接，且沿该蚀刻阻挡层延伸到该栅极绝缘层一侧；及汲极设置在该蚀刻阻挡层上经该第二通孔与该沟道层连接，且沿该蚀刻阻挡层延伸到该栅极绝缘层的另一侧。 | ||
| 地址 | 518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 | ||