发明名称 |
一种低氧含量高可恢复应变Ti‐Nb记忆合金的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种低氧含量高可恢复应变Ti‐Nb记忆合金及其制备方法。该方法先把纯Ti粉、Nb粉按照配比,并混合均匀;然后将混合后的粉末在空气中压制成型,得到生坯;将生坯放入一端封闭的第一刚玉管中,再在第一刚玉管开口处放入TiH<sub>2</sub>粉末;接着将第一刚玉管置于两端开口的第二刚玉管中,然后将放置好样品和TiH<sub>2</sub>粉末的第二刚玉管放入烧结炉烧结,得产物。本发明的烧结Ti‐Nb合金氧含量低、首次展现出明显的热弹性马氏体相变、通过调整M<sub>s</sub>温度可获得较高的可恢复应变,弥补了现有报道中烧结态Ti‐Nb合金因可恢复应变过低而无法满足植入要求的不足。 |
申请公布号 |
CN104674041B |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201510082649.7 |
申请日期 |
2015.02.13 |
申请人 |
华南理工大学 |
发明人 |
高岩;赖铭;袁斌 |
分类号 |
C22C1/05(2006.01)I;C22C14/00(2006.01)I |
主分类号 |
C22C1/05(2006.01)I |
代理机构 |
广州市华学知识产权代理有限公司 44245 |
代理人 |
罗观祥;江间开 |
主权项 |
一种低氧含量高可恢复应变Ti‐Nb记忆合金的制备方法,其特征在于包含以下操作步骤:(1)把高纯Ti粉、Nb粉按照Ti和Nb原子比为(92~77):(8~23)配比,将粉末混合均匀后在空气中以模压的方法压制成型,得到Ti‐Nb合金生坯;(2)将步骤(1)所得的Ti‐Nb合金生坯放入一端封闭的第一刚玉管中,Ti‐Nb合金生坯在封闭的一端,将TiH<sub>2</sub>粉末放于第一刚玉管开口的一端;所述TiH<sub>2</sub>粉末与Ti‐Nb合金生坯的质量比为1:3以上;将第一刚玉管置于两端开口的第二刚玉管中,并在第二刚玉管两端的开口处放置TiH<sub>2</sub>粉末;(3)将按步骤(2)放置好的第二刚玉管放入烧结炉中,抽真空后在保护气氛下于温度为1200~1600℃条件下进行高温烧结,获得低氧含量高可恢复应变Ti‐Nb记忆合金。 |
地址 |
510640 广东省广州市天河区五山路381号 |