一种调节硅化钛/硅肖特基接触势垒的方法

摘要

本发明属于微电子技术领域，具体为一种调节硅化钛和硅之间肖特基接触势垒的方法。本发明通过向硅化钛薄膜中引入适量氧原子，形成硅化钛（TiSi_x，内含氧原子）/硅肖特基接触结构，实现对硅化钛与硅之间肖特基接触势垒的有效调节。相比普通硅化钛/硅肖特基整流二极管的工艺流程，本发明只需要增加一步氧原子的引入工艺，就可获得明显的接触势垒调节，整个工艺步骤简单易行，具有良好的应用前景。

主权项

一种调节硅化钛/硅肖特基接触势垒的方法，其特征在于具体步骤为：向硅化钛/硅肖特基整流二极管中的硅化钛薄膜中引入适量氧原子，实现接触势垒调节；所述引入氧原子的方法有两种，它们分别是：（1）在硅衬底上淀积金属钛膜后，通过离子注入或扩散方式将氧原子引入到金属钛膜中，再利用退火过程，使金属钛膜与衬底硅发生固相反应，在形成硅化钛/硅肖特基整流接触的同时，将氧原子掺入形成的硅化钛薄膜中；（2）在硅衬底上淀积金属钛膜后，先利用退火过程使金属钛与衬底硅发生固相反应，生成硅化钛/硅肖特基整流接触，再利用离子注入或扩散工艺将氧原子引入到硅化钛薄膜中,并进行适当的后退火处理。