包含鳍式场效电晶体装置的集成电路及其制造方法

摘要

本发明涉及包含鳍式场效电晶体装置的集成电路及其制造方法，提供数种集成电路及用以制造集成电路的方法。在一实施例中，集成电路包含半导体基板。彼此毗邻地从该半导体基板延伸的第一鳍片及第二鳍片。该第一鳍片有第一上半段以及该第二鳍片有第二上半段。第一磊晶部覆于该第一上半段上以及第二磊晶部覆于该第二上半段上。第一硅化物层覆于该第一磊晶部上以及第二硅化物层覆于该第二磊晶部上。该第一及该第二硅化物层彼此隔开以定义横向间隙。介电间隔体由介电材料形成以及跨越该横向间隙。接触形成材料覆于该介电间隔体以及该第一及该第二硅化物层横向在该介电间隔体上方的部分上。

主权项

一种制造集成电路的方法，包含：形成彼此毗邻地从半导体基板延伸的第一鳍片与第二鳍片；在该第一及该第二鳍片上选择性磊晶成长含硅材料，以形成覆于该第一鳍片的第一上半段上的第一磊晶部以及覆于该第二鳍片的第二上半段上的第二磊晶部，其中，该第一及该第二磊晶部彼此隔开；形成覆于该第一磊晶部上的第一硅化物层以及覆于该第二磊晶部上的第二硅化物层，其中，该第一及该第二硅化物层彼此隔开以定义横向间隙；沉积覆于该第一及该第二硅化物层上的介电材料，以形成跨越该横向间隙的介电间隔体；移除覆于该第一及该第二硅化物层横向在该介电间隔体上方的部分上的该介电材料，并且使该介电间隔体保持完整；以及沉积覆于该介电间隔体及该第一及该第二硅化物层的该部分上的接触形成材料。