TSV测试结构

摘要

本实用新型提供了一种TSV测试结构，包括半导体衬底、形成于所述半导体衬底上的TSV孔，形成于所述TSV孔的侧壁及底部的绝缘层，填充于所述TSV孔内的导电材料，在所述半导体衬底与所述绝缘层之间还形成有掺杂层，且所述半导体衬底为第一类型掺杂，所述掺杂层为第二类型掺杂，所述第一类型掺杂与第二类型掺杂的掺杂类型相反；在所述半导体衬底与掺杂层之间通入击穿电压，根据需要的击穿电压的大小可以判断半导体衬底中是否存在裂纹，在所述掺杂层与所述导电材料之间通入交流电压，根据测量所述掺杂层与所述导电材料之间电流的大小判断导电材料中是否存在空洞，其测量方法简单，检出率高，并且提高了测试的效率。

主权项

一种TSV测试结构，其特征在于，包括具有第一类型掺杂的半导体衬底、形成于所述半导体衬底上的TSV孔，形成于所述TSV孔的侧壁及底部的绝缘层，填充于所述TSV孔内的导电材料，在所述半导体衬底与所述绝缘层之间还形成有掺杂层，所述掺杂层为第二类型掺杂，所述第一类型掺杂与第二类型掺杂的掺杂类型相反。