一种具有选择特性的阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有选择特性的阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器包括：顶电极、底电极以及二者之间的功能层；其中，功能层包括第一氧化层和第二氧化层；第一氧化层为靠近顶电极的完全配比的氧化层；第二氧化层为靠近底电极的非完全配比的氧化层。本发明采用分两次淀积功能层，形成具有氧组分不同的两层氧化层的功能层，靠近顶电极为完全配比的氧化层，而靠近底电极为非完全配比的氧化层；在顶电极与完全配比的氧化层之间势垒会明显提高，电子只能靠肖特基发射实现导电，低阻态具有非线性，器件具有选择特性。本发明在有效抑制误读现象的情况下，无需串联专门的选择管，工艺简单，成本低；并且与现有工艺兼容，有利于大规模工业生产。

主权项

一种具有选择特性阻变存储器，其特征在于，所述阻变存储器包括：顶电极(1)、底电极(4)以及在二者之间的功能层；其中，功能层包括第一氧化层(2)和第二氧化层(3)；所述第一氧化层(2)为靠近顶电极的完全配比的氧化层；所述第二氧化层(3)为靠近底电极的非完全配比的氧化层；功能层采用氧化钽，靠近顶电极的第一氧化层(2)氧组分充足，形成完全配比的Ta₂O₅氧化层，靠近底电极的第二氧化层(3)氧组分不足，形成非完全配比的TaO_x氧化层；其中x为氧与钽的原子数比；在顶电极与完全配比的氧化层之间势垒提高，电子只能靠肖特基发射实现导电，具有选择特性。