发明名称 | 一种直接测量磁元件绕组损耗的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种直接测量磁元件绕组损耗的方法,磁元件包括磁芯和绕组,在磁元件的磁芯上增加绕制一个辅助绕组,并将辅助绕组开路,给磁元件施加励磁源,通过测量仪器测量磁元件的被测绕组和辅助绕组端口之间的电压关系,以及流经被测绕组的电流,将端口之间的电压进行计算处理得到被测绕组损耗的电压,计算得到被测绕组的功率,就是被测绕组的损耗。本发明可以适用于测量任意励磁波形工况下任何磁元件的绕组损耗,也可用于在线测量功率变换器中磁元件的绕组损耗。不仅能体现磁元件中磁场、温度以及实际工况对绕组损耗的影响,还可测量多绕组磁元件中每个绕组的损耗。实现了从总损耗中分离出绕组损耗,测量方便、快捷、成本低。 | ||
申请公布号 | CN106291123A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
申请号 | CN201610635858.4 | 申请日期 | 2016.08.05 |
申请人 | 福建工程学院 | 发明人 | 叶建盈;郑荣进 |
分类号 | G01R27/26(2006.01)I | 主分类号 | G01R27/26(2006.01)I |
代理机构 | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人 | 王晓彬 |
主权项 | 一种直接测量磁元件绕组损耗的方法,磁元件包括磁芯和绕组,其特征在于,在磁元件的磁芯上增加绕制一个辅助绕组,并将辅助绕组开路,给磁元件施加励磁源,通过测量仪器测量磁元件的被测绕组和辅助绕组端口之间的电压关系,以及流经被测绕组的电流,将端口之间的电压进行计算处理得到被测绕组损耗的电压,计算得到被测绕组的功率,就是被测绕组的损耗。 | ||
地址 | 350118 福建省福州市大学新区学院路3号 |