| 发明名称 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供形成有隔离结构、栅极结构和位于栅极结构两侧的侧壁结构的半导体衬底，隔离结构将半导体衬底分为PMOS区和NMOS区；在侧壁结构之间以及侧壁结构与隔离结构之间的半导体衬底中形成凹槽；在位于PMOS区的凹槽中形成嵌入式锗硅层，在位于NMOS区的凹槽中形成嵌入式碳硅层；对嵌入式锗硅层和嵌入式碳硅层下方的半导体衬底实施预离子注入，以提升阈值电压。根据本发明，可以改善器件的阈值电压的不均衡分布现象。 | ||
| 申请公布号 | CN106298664A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510270812.2 | 申请日期 | 2015.05.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 潘梓诚;林仰魁;施雪捷 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供形成有隔离结构、栅极结构和位于所述栅极结构两侧的侧壁结构的半导体衬底，所述隔离结构将所述半导体衬底分为PMOS区和NMOS区；在所述侧壁结构之间以及所述侧壁结构与所述隔离结构之间的半导体衬底中形成凹槽；在位于所述PMOS区的凹槽中形成嵌入式锗硅层，在位于所述NMOS区的凹槽中形成嵌入式碳硅层；对所述嵌入式锗硅层和所述嵌入式碳硅层下方的半导体衬底实施预离子注入，以提升阈值电压。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||