一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供具有NMOS区和PMOS区的半导体衬底，在其上形成有栅极结构，且在栅极结构的顶部和侧壁形成有栅极硬掩蔽层；在半导体衬底上形成完全覆盖栅极结构的硬掩膜层；在PMOS区形成嵌入式锗硅层，在栅极结构的侧壁和/或顶部形成由栅极硬掩蔽层、硬掩膜层和新生材料层构成的复合材料层叠结构；去除位于NMOS区的部分复合材料层叠结构，直至露出半导体衬底；去除所述复合材料层叠结构的剩余部分，仅在栅极结构的两侧留有部分栅极硬掩蔽层。根据本发明，在PMOS区形成嵌入式锗硅层后，可以有效去除NMOS区的复合材料层叠结构，扩大了后续硅化工艺和接触孔工艺窗口，提高了产品良率。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供具有NMOS区和PMOS区的半导体衬底，在所述NMOS区和PMOS区上均形成有栅极结构，且在所述栅极结构的顶部和侧壁形成有栅极硬掩蔽层；在所述半导体衬底上形成完全覆盖所述栅极结构的硬掩膜层；在位于所述PMOS区的栅极结构两侧的半导体衬底中形成嵌入式锗硅层，在所述栅极结构的侧壁和/或顶部形成由所述栅极硬掩蔽层、所述硬掩膜层和新生材料层构成的复合材料层叠结构；去除位于所述NMOS区的部分所述复合材料层叠结构，直至露出所述半导体衬底；去除所述复合材料层叠结构的剩余部分，仅在所述栅极结构的两侧留有部分所述栅极硬掩蔽层。