发明名称 |
一种功率器件及制备方法 |
摘要 |
本发明主要涉及功率半导体器件,是提供作为功率切换开关所用的一种功率半导体封装器件及其制备方法。具有一对并排设置的基座,每个基座上都粘附有一个芯片,一个将该两个芯片各自一部分电极同时电性连接到第二引脚的互联板,和具有将一个芯片的另一部分电极连接到第一引脚的一个导电结构以及将另一个芯片的另一部分电极连接到第三引脚的另一个导电结构。 |
申请公布号 |
CN106298739A |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201510323041.9 |
申请日期 |
2015.06.12 |
申请人 |
万国半导体股份有限公司 |
发明人 |
哈姆扎·耶尔马兹;薛彦迅;鲁军 |
分类号 |
H01L23/538(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/538(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
吴俊 |
主权项 |
一种功率器件,其特征在于,包括:一对并排设置的基座;一对芯片,每个基座上都粘附有一个芯片,每个芯片包含有底部第一电极和顶部第二和第三电极,每个芯片的底部第一电极与对应的基座电连接;位于该对基座附近的第一、第二和第三引脚;一个将该两个芯片各自第二电极同时电性连接到第二引脚的互联板,该互联板呈现为T形结构,包括一个第一部分和一个垂直于第一部分的第二部分,其中所述的第一部分横跨在基座上的所述的一对芯片上方,第一部分的两个端部分别粘附到所述的一对芯片顶面的第二电极,第二部分的一个自由末端先向下弯折后再沿水平延伸形成一个下置结构以抵压在第二引脚上并与之粘接在一起;将一个芯片的第三电极连接到第一引脚的一个导电结构和将另一个芯片的第三电极连接到第三引脚的另一个导电结构;其中至少在第二引脚的顶面上设置有一个或多个凸出于第二引脚顶面的立柱,用于承载互联板的第二部分自由末端的下置结构。 |
地址 |
美国加利福尼亚州94085桑尼维尔奥克米德大道475号 |