发明名称 一种射频功率放大器模块及射频前端模块
摘要 本申请公开了一种射频功率放大器模块及射频前端模块,其中,所述射频功率放大器模块的硅衬底的第一表面用于设置所述控制器的功能结构,所述硅衬底的第二表面具有至少一个凹槽,所述凹槽用于设置异于所述控制器的功能结构制备工艺的开关模块、放大器模块或滤波器模块,这样所述管芯模块的焊盘可以通过设置于所述凹槽内的焊盘及通孔实现与所述控制器的功能结构的连接,有效地利用了所述硅衬底的第二表面,从而避免了现有技术中将用于实现与所述管芯模块连接的焊盘全部设置于所述第一表面而带来的所需硅衬底面积过大,而增加所述射频功率放大器模块的成本的问题。
申请公布号 CN106298759A 申请公布日期 2017.01.04
申请号 CN201610813837.7 申请日期 2016.09.09
申请人 宜确半导体(苏州)有限公司 发明人 赵冬末;黄清华;刘磊;路宁;刘海玲
分类号 H01L25/16(2006.01)I;H03F3/189(2006.01)N;H03F3/20(2006.01)N 主分类号 H01L25/16(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 常亮
主权项 一种射频功率放大器模块,其特征在于,包括:硅衬底;位于所述硅衬底第一表面的控制器的功能结构;位于所述硅衬底第二表面的至少一个凹槽,所述凹槽中具有多个通孔,所述第一表面和第二表面为所述硅衬底同一方向上的两个面;位于所述凹槽中的管芯模块,所述管芯模块为异于所述控制器的功能结构制备工艺的开关模块、放大器模块或滤波器模块;所述位于所述凹槽中的管芯模块通过所述多个通孔与所述控制器的功能结构连接。
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