| 主权项 |
一种横向高压功率器件的结终端结构，其特征在于：包括直线结终端结构和曲率结终端结构；所述曲率结终端结构包括漏极N<sup>+</sup>接触区(1)、N型漂移区(2)、P型衬底(3)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、P‑well区(6)、源极P<sup>+</sup>接触区(8)；P‑well区(6)表面上方是栅氧化层(5)，栅氧化层(5)的表面上方是栅极多晶硅(4)；曲率结终端结构中的N<sup>+</sup>接触区(1)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、分别与直线结终端结构中的N<sup>+</sup>接触区(1)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)相连并形成环形结构，N型漂移区(2)分成底部的直线段和顶部的半圆段，N型漂移区(2)的内外边界之间的部分沿周向依次分成多个不相连的子区域(2<sub>1</sub>、2<sub>2</sub>….2<sub>N</sub>)；每个子区域位于外边界的一端大于位于内边界的一端，子区域位于外边界的一端的长度分别为L<sub>1,1</sub>、L<sub>1,2</sub>….L<sub>1,N</sub>，N型漂移区(2)的外边界长度为L<sub>out</sub>；相邻子区域位于外边界的一端之间的距离分别为d<sub>1,1</sub>、d<sub>1,2</sub>….d<sub>1,N‑1</sub>，其中L<sub>1,1</sub>、L<sub>1,2</sub>….L<sub>1,N</sub>以及d<sub>1,1</sub>、d<sub>1,2</sub>….d<sub>1,N‑1</sub>的取值均在0到L<sub>out</sub>之间，且<img file="FDA0001092427230000011.GIF" wi="555" he="67" />子区域位于内边界的一端的长度分别为L<sub>0,1</sub>、L<sub>0,2</sub>….L<sub>0,N</sub>；相邻子区域位于内边界的一端之间的距离分别为d<sub>0,1</sub>、d<sub>0,2</sub>….d<sub>0,N‑1</sub>，N型漂移区的内边界长度为L<sub>in</sub>，其中L<sub>0,1</sub>、L<sub>0,2</sub>….L<sub>0,N</sub>以及d<sub>0,1</sub>、d<sub>0,2</sub>….d<sub>0,N‑1</sub>的取值均在0到Lin之间，且<img file="FDA0001092427230000012.GIF" wi="547" he="71" />漏极N<sup>+</sup>接触区(1)包围子区域(2<sub>1</sub>、2<sub>2</sub>….2<sub>N</sub>)，子区域(2<sub>1</sub>、2<sub>2</sub>….2<sub>N</sub>)内有环形栅极多晶硅(4)和环形栅氧化层(5)，P‑well区(6)与子区域(2<sub>1</sub>、2<sub>2</sub>….2<sub>N</sub>)不相连且P‑well区(6)与子区域(2<sub>1</sub>)的内边界的距离为L<sub>P</sub>。 |
