发明名称 |
一种三栅极结构的形成方法 |
摘要 |
本发明提供了一种三栅极结构的形成方法,包括:第一步骤:在衬底上依次形成介质层、第一功函数金属层和硬掩膜层;第二步骤:形成硬掩膜层的图案;第三步骤:采用形成图案的硬掩膜层刻蚀第一功函数金属层,以形成第一功函数金属凸块;第四步骤:沉积第二功函数金属层,其中第二功函数金属层与第一功函数金属层为不同材料;第五步骤:对第二功函数金属层进行化学机械研磨,直到露出第一功函数金属凸块;第六步骤:刻蚀第二功函数金属层和介质层,从而形成在第一功函数金属凸块侧壁包围第二功函数金属侧壁的结构。 |
申请公布号 |
CN106298492A |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201610985906.2 |
申请日期 |
2016.11.09 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
刘英明 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
智云 |
主权项 |
一种三栅极结构的形成方法,其特征在于包括:第一步骤:在衬底上依次形成介质层、第一功函数金属层和硬掩膜层;第二步骤:形成硬掩膜层的图案;第三步骤:采用形成图案的硬掩膜层刻蚀第一功函数金属层,以形成第一功函数金属凸块;第四步骤:沉积第二功函数金属层,其中第二功函数金属层与第一功函数金属层为不同材料;第五步骤:对第二功函数金属层进行化学机械研磨,直到露出第一功函数金属凸块;第六步骤:刻蚀第二功函数金属层和介质层,从而形成在第一功函数金属凸块侧壁包围第二功函数金属侧壁的结构。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 |