发明名称 石墨烯薄膜连续生长支撑结构
摘要 一种石墨烯薄膜连续生长支撑结构,包括安装在加热真空腔室中的导轨,所述导轨安装在加热真空腔室内壁相对设置的支承座之间,所述导轨与对应加热真空腔室内壁之间设置有流通间隙,所述支承座设置有流通通道,所述流通通道一端与流通间隙相连,另一端位于导轨下方。石墨烯薄膜连续生长支撑结构通过导轨支撑生长石墨烯的衬底材料,能够减轻衬底材料在移动过程中发生振动,保证其能够充分与反应气体接触,提高石墨烯的生长质量。导轨将加热真空腔室分割成上下两部分,通过流通间隙和流通通道,使上下两部分气流流通,热量能够充分流动,使整个加热真空腔室内的温度均匀,衬底材料受热均匀,保证石墨烯的生长质量。
申请公布号 CN205856600U 申请公布日期 2017.01.04
申请号 CN201620680003.9 申请日期 2016.06.30
申请人 青岛赛瑞达电子科技有限公司 发明人 张海林;滕玉朋
分类号 C23C16/26(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I 主分类号 C23C16/26(2006.01)I
代理机构 青岛联信知识产权代理事务所 37227 代理人 潘晋祥;王中云
主权项 一种石墨烯薄膜连续生长支撑结构,其特征在于,包括安装在加热真空腔室(1)中的导轨(2),所述导轨(2)安装在加热真空腔室(1)内壁相对设置的支承座(3)之间,所述导轨(2)与对应加热真空腔室(1)内壁之间设置有流通间隙(4),所述支承座(3)设置有流通通道(5),所述流通通道(5)一端与流通间隙相连,另一端位于导轨(2)下方。
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