发明名称 POSITIVE RESIST COMPOSITION METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN PHOTO-REACTIVE QUENCHER AND POLYMERIC COMPOUND
摘要 (과제) 포지티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 산 확산 제어제 및 고분자 화합물의 제공. (해결 수단) 노광에 의해 산을 발생하고, 또한, 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대하는 포지티브형 레지스트 조성물로서, 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대하는 기재 성분 (A) 와, 하기 일반식 (m0) 으로 나타내는 화합물 (m) 을 함유하는 것을 특징으로 하는, 포지티브형 레지스트 조성물. [식 (m0) 중, Z∼ Z는, 전자 흡인성의 치환기, Rb및 Rb는, 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 지환식 탄화수소기 또는 수산기, Rb은, 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴기, 알킬기 또는 알케닐기이고, n1 및 n2 는, 0 ∼ 3 의 정수, X0는 유기 아니온.] [화학식 1]
申请公布号 KR20170001616(A) 申请公布日期 2017.01.04
申请号 KR20160078081 申请日期 2016.06.22
申请人 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 发明人 야마자키 히로토;고무로 요시타카;아라이 마사토시;가와나 다이스케;스즈키 겐타;후지이 다츠야
分类号 G03F7/039;C07C323/09;C08F20/56;G03F7/20 主分类号 G03F7/039
代理机构 代理人
主权项
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