| 发明名称 |
A light-emitting diode having transition metal dichalcogen compound of two-dimensional2D structure as light-emitting layer and its preparing process |
| 摘要 |
본 발명은 이차원 전이금속 디칼코겐 화합물을 발광층으로 하는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 대면적 CVD 방법으로 이차원 전이금속 디칼코겐 화합물이 고분자 절연체의 샌드위치 구조로 적층되어 발광 특성을 발휘하도록 이루어진 발광소자와 그 제조방법에 관한 것이다. |
| 申请公布号 |
KR20170001160(A) |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
| 申请号 |
KR20150090746 |
申请日期 |
2015.06.25 |
| 申请人 |
한국과학기술연구원 |
发明人 |
손동익;김수민;안석훈;심재호;최수영;이규승;이주송 |
| 分类号 |
C09K11/06;H01L21/205;H01L21/285;H01L51/50;H01L51/56 |
主分类号 |
C09K11/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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