发明名称 |
带隙电压生成电路 |
摘要 |
本发明涉及一种带隙电压生成电路,包括:偏置电路,用于为第一晶体管提供第一偏置电流,为第二晶体管提供第二偏置电流;第一晶体管的发射极和偏置电路在第一节点相连接,用于偏置电路为第一晶体管提供第一偏置电流;第二晶体管和偏置电路在第二节点相连接,用于偏置电路为第二晶体管提供第二偏置电流;电压采样电路,利用第一采样电容C1采样第一节点的电压,利用第二采样电容C2采样第一节点和第二节点的电压差,基于第一采样电容C1上的电压以及第二采样电容C2上的电压得到输出电压。本发明提供的带隙电压生成电路,可以通过调节分压比例,而改变输出电压,提高了输出电压的精度,且具有较小的芯片面积,且可以产生较低的温度补偿的参考电压。 |
申请公布号 |
CN104375551B |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201410687830.6 |
申请日期 |
2014.11.25 |
申请人 |
无锡中感微电子股份有限公司 |
发明人 |
王钊 |
分类号 |
G05F1/567(2006.01)I |
主分类号 |
G05F1/567(2006.01)I |
代理机构 |
北京亿腾知识产权代理事务所 11309 |
代理人 |
陈霁 |
主权项 |
一种带隙电压生成电路,其特征在于,所述带隙电压生成电路包括:第一开关控制信号,第二开关控制信号,偏置电路,第一晶体管,第二晶体管,电压采样电路;所述偏置电路,用于为所述第一晶体管提供第一偏置电流,为所述第二晶体管提供第二偏置电流;所述偏置电路包括第一电流源I1和第二电流源I2,所述第一晶体管为第一双极晶体管Q1,所述第二晶体管为第二双极晶体管Q2;所述第一晶体管Q1的发射极和所述偏置电路在第一节点相连接,用于所述偏置电路为所述第一晶体管Q1提供第一偏置电流;所述第二晶体管Q2和所述偏置电路在第二节点相连接,用于所述偏置电路为所述第二晶体管Q2提供第二偏置电流;所述电压采样电路,包括第一采样电容C1和第二采样电容C2,利用第一采样电容C1采样第一节点的电压,利用第二采样电容C2采样第一节点和第二节点的电压差,基于第一采样电容C1上的电压以及第二采样电容C2上的电压得到输出电压。 |
地址 |
214135 江苏省无锡市无锡新区清源路18号太湖国际科技园传感网大学科技园530大厦A1001 |