一种高低压转化集成电路

摘要

本发明公开了一种高低压转换集成电路，包括放大器和带隙基准，放大器的正相输入端与电阻R3和电阻R4的分压相连，其反相输入端与带隙基准的输出端相连，外部器件包括电阻R1和双极型三极管N1，内部电路采用堆叠的MOS管M1和MOS管M2；电阻R1的一端与双极型三极管N1的集电极与输入的高压VIN相连，其另一端与双极型三极管N1的基极以及MOS管M1的漏极相连，双极型三极管N1的发射极与输出的低压VOUT相连；MOS管M1的栅极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端与输出低压VOUT相连以防止静电放电，MOS管M1的源极与MOS管M2的漏极相连，MOS管M2的栅极与放大器的输出端相连，MOS管M2的源极与地相连。本发明大大降低了集成电路制造的成本，也提高了电路的可靠性。

主权项

一种高低压转换集成电路，包括放大器(10)和带隙基准(20)，所述放大器(10)的正相输入端与电阻R3和电阻R4的分压相连，其反相输入端与带隙基准(20)的输出端相连，其特征在于，外部器件包括电阻R1和双极型三极管N1，内部电路采用堆叠的MOS管M1和MOS管M2；所述电阻R1的一端与双极型三极管N1的集电极与输入的高压VIN相连，其另一端与双极型三极管N1的基极以及MOS管M1的漏极相连，双极型三极管N1的发射极与输出的低压VOUT相连；所述MOS管M1的栅极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端与输出低压VOUT相连，MOS管M1的源极与MOS管M2的漏极相连，MOS管M2的栅极与放大器(10)的输出端相连，MOS管M2的源极与地相连。