| 发明名称 | 半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体元件及其制造方法，其半导体元件包括衬底、绝缘层、导体层以及至少一间隙壁。衬底具有至少二浅沟槽。导体层配置于浅沟槽之间的衬底上。绝缘层配置于衬底与导体层之间。至少一间隙壁配置于导体层的侧壁上且填满各浅沟槽。另提供一种半导体元件的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN106298913A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510251397.6 | 申请日期 | 2015.05.18 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 萧世楹;杨庆忠 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种半导体元件，其特征在于包括：衬底，具有至少二浅沟槽；导体层，配置于所述浅沟槽之间的所述衬底上；绝缘层，配置于所述衬底与所述导体层之间；以及至少一间隙壁，配置于所述导体层的侧壁上且填满各浅沟槽。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区 | ||