发明名称 |
制备透射电子显微镜样品的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种制备透射电子显微镜样品的方法,包括:第一步骤:针对样品上的需要分析的特定目标形成用于标定特定目标的标记;第二步骤:向芯片样品射入聚焦离子束,根据标记找到特定目标所处的区域,使用与样品垂直的离子束将芯片样品切割至靠近特定目标预定距离的位置;第三步骤:倾斜样品,利用预定倾角的离子束在目标结构上切割,同时利用电子束观测目标处图形进行判断,将该特定目标上方切割至剩余预定厚度的位置;第四步骤:将样品平面倾斜至与离子束垂直,在目标结构上方沉积金属保护层;第五步骤:利用金属保护层完成透射电子显微镜制样以形成透射电子显微镜样品。 |
申请公布号 |
CN106289909A |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201610692334.9 |
申请日期 |
2016.08.19 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
陈强;孙蓓瑶 |
分类号 |
G01N1/28(2006.01)I |
主分类号 |
G01N1/28(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
智云 |
主权项 |
一种制备透射电子显微镜样品的方法,其特征在于包括:第一步骤:针对样品上的需要分析的特定目标形成用于标定特定目标的标记;第二步骤:向芯片样品射入聚焦离子束,根据标记找到特定目标所处的区域,使用与样品垂直的离子束将芯片样品切割至靠近特定目标预定距离的位置;第三步骤:倾斜样品,利用预定倾角的离子束在目标结构上切割,同时利用电子束观测目标处图形进行判断,将该特定目标上方切割至剩余预定厚度的位置;第四步骤:将样品平面倾斜至与离子束垂直,在目标结构上方沉积金属保护层;第五步骤:利用金属保护层完成透射电子显微镜制样以形成透射电子显微镜样品。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 |