| 发明名称 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有层间介电层、第二蚀刻停止层、第一蚀刻停止层和图案化的掩膜层；步骤S2：以所述图案化的掩膜层为掩膜蚀刻所述第一蚀刻停止层、所述第二蚀刻停止层和所述层间介电层，以形成接触孔开口；步骤S3：去除所述掩膜层和所述第一蚀刻停止层；步骤S4：对接触孔开口的侧壁进行第一次等离子体处理，以去除所述侧壁上的聚合物，其中所述第一次等离子体处理的温度为80-150℃；步骤S5：去除所述第二蚀刻停止层；步骤S6：对所述接触孔开口的侧壁进行第二次等离子体处理，以去除所述侧壁上剩余的聚合物，其中所述第二次等离子体处理的温度为80-150℃。 | ||
| 申请公布号 | CN106298633A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510245871.4 | 申请日期 | 2015.05.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;黄敬勇 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有层间介电层、第二蚀刻停止层、第一蚀刻停止层和图案化的掩膜层；步骤S2：以所述图案化的掩膜层为掩膜蚀刻所述第一蚀刻停止层、所述第二蚀刻停止层和所述层间介电层，以形成接触孔开口；步骤S3：去除所述掩膜层和所述第一蚀刻停止层；步骤S4：对所述接触孔开口的侧壁进行第一次等离子体处理，以去除所述侧壁上的聚合物，其中所述第一次等离子体处理的温度为80‑150℃；步骤S5：去除所述第二蚀刻停止层；步骤S6：对所述接触孔开口的侧壁进行第二次等离子体处理，以去除所述侧壁上剩余的聚合物，其中所述第二次等离子体处理的温度为80‑150℃。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||