发明名称 |
具有导线上方的蚀刻停止层的互连结构 |
摘要 |
本发明的实施例提供了用于集成电路的多层互连结构,包括衬底上方的第一介电层和部分暴露在第一介电层上方的导线。结构还包括第一介电层和暴露的导线上方的蚀刻停止层,以及蚀刻停止层上方的第二介电层。第二介电层和蚀刻停止层提供部分暴露导线的贯通孔。结构还包括设置在贯通孔中的通孔,和设置在通孔上方并且通过该通孔链接至导线的另一导线。本发明的实施例还公开了形成多层互连结构的方法。当由于覆盖误差引起贯通孔未对准时,蚀刻停止层减少了第一和第二介电层的横向和垂直蚀刻。本发明的实施例还涉及具有导线上方的蚀刻停止层的互连结构。 |
申请公布号 |
CN106298733A |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201510826888.9 |
申请日期 |
2015.11.24 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
蔡政勋;李忠儒;眭晓林;包天一 |
分类号 |
H01L23/522(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/522(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;李伟 |
主权项 |
一种器件,包括:衬底;第一介电层,位于所述衬底上方;导线,所述导线的第一部分位于所述第一介电层中并且所述导线的第二部分设置在所述第一介电层上方;蚀刻停止层,位于所述第一介电层和所述导线上方;第二介电层,位于所述蚀刻停止层上方,其中,所述蚀刻停止层包括与所述第一介电层和所述第二介电层的材料不同的介电材料,并且其中,所述第二介电层和所述蚀刻停止层提供部分暴露所述导线的开口;以及通孔,设置在所述开口中并且链接至所述导线。 |
地址 |
中国台湾新竹 |