| 摘要 |
평균 입자 지름이 2~5㎛인 질화 알루미늄 결정 입자를 갖고, 열전도율이 170W/m·K 이상인 회로 기판용 질화 알루미늄 기판에 있어서, 수지상의 입계상을 함유하지 않고, 400℃에서의 절연 파괴 전압이 30kV/㎜ 이상인 회로 기판용 질화 알루미늄 기판이 개시된다. 또, 질화 알루미늄 분말을 포함하는 원료를 압력 150Pa 이하에서 1500℃까지 가열하고, 그 후 비산화성 가스로 압력 0.4MPa 이상의 가압 분위기로 하여 1700~1900℃까지 승온, 유지한 후, 1600℃까지 10℃/분 이하의 냉각 속도로 냉각하는 공정을 구비하는 회로 기판용 질화 알루미늄 기판의 제조 방법이 제공된다. |
