| 发明名称 | 一种提高栅氧化层质量的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种提高栅氧化层质量的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一硅衬底；进行湿法清洗工艺以去除所述硅衬底表面形成的自然氧化层；继续将所述硅衬底放入一炉管进行高温氧化工艺，以于所述硅衬底的表面形成一栅氧化层；其中，所述炉管采用碳纤维发热管为热源进行所述高温氧化工艺，且将所述炉管在晶舟装载等待阶段的预定温度设置为T，所述T的取值范围为400℃到700℃。通过利用碳纤维发热管作为炉管加热源，可减少了晶舟升降温的等待时间，抑制了外来氧化层的生长，有效提高了栅氧化层的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN103903971B | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201410106618.6 | 申请日期 | 2014.03.20 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 江润峰 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人 | 吴俊 |
| 主权项 | 一种提高栅氧化层质量的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一硅衬底；进行湿法清洗工艺以去除所述硅衬底表面形成的自然氧化层；继续将所述硅衬底放入一炉管进行高温氧化工艺，以于所述硅衬底的表面形成一栅氧化层；其中，所述炉管采用碳纤维发热管为热源进行所述高温氧化工艺，且将所述炉管在晶舟装载等待阶段的预定温度设置为T，所述T的取值范围为400℃到700℃；其中，所述碳纤维发热管的升温速率为50‑200℃/分，降温速率为20‑100℃/分。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||