发明名称 |
同时多维字可寻址存储器架构 |
摘要 |
本发明涉及同时多维字可寻址存储器架构。所述存储器包含N维位单元阵列和经配置以使用N维寻址(NDA)来寻址每一位单元的逻辑,其中N至少为二,且所述位单元阵列可通过N个正交地址空间来寻址。所述N维可寻址存储器的每一位单元包含一个位存储元件、N个字线以及N个位线。 |
申请公布号 |
CN106294196A |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201610627204.7 |
申请日期 |
2008.06.26 |
申请人 |
高通股份有限公司 |
发明人 |
陈吉童;康殷叶;威拉蓬·猜耶库 |
分类号 |
G06F12/02(2006.01)I;G11C8/10(2006.01)I;G11C8/16(2006.01)I;H03M13/27(2006.01)I |
主分类号 |
G06F12/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
宋献涛 |
主权项 |
一种N维可寻址存储器,其包括:N维位单元阵列;以及经配置以使用N维寻址来寻址每一位单元的逻辑,其中N至少为二,且其中所述位单元阵列可通过N个正交地址空间来寻址,其中每一位单元包括:位存储元件;N个字线;以及N个位线,其中所述N个字线中的每一者耦合到一装置,所述装置经配置以在所述N个字线中的相应字线被激活的情况下,将来自所述N个位线的对应位线耦合到所述存储元件。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |