发明名称 |
D型触发器及其信号传输方法 |
摘要 |
本申请公开了一种D型触发器及其信号传输方法。其中,该D型触发器包括:延时反向单元In,用于输出延时后的反向时钟信号;第一反相器I4,输入端连接数据信号的输入端;第一PMOS晶体管M1。第二PMOS晶体管M2;第一NMOS晶体管M3,漏极与第一PMOS晶体管M1的漏极连接于第一节点;第二NMOS晶体管M4,漏极与第二PMOS晶体管M2的漏极连接于第二节点,栅极与第一NMOS晶体管M3的栅极相连接并接收时钟信号;第三NMOS晶体管M5,源极与第一反相器I4的输入端相连接;以及第四NMOS晶体管M6,栅极与第三NMOS晶体管M5相连接并连接到延时反向单元In的输出端。本申请解决了现有技术中在缩短时钟周期的同时增加版图面积的技术问题。 |
申请公布号 |
CN106301293A |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201510256949.2 |
申请日期 |
2015.05.19 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
陈志强;廖春和 |
分类号 |
H03K3/356(2006.01)I;H03K3/012(2006.01)I |
主分类号 |
H03K3/356(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
韩建伟;张永明 |
主权项 |
一种D型触发器,其特征在于,包括:延时反向单元(In),连接在时钟信号输入端,所述延时反向单元(In)的输入端用于输入时钟信号,输出端用于输出延时后的反向时钟信号;第一反相器(I4),输入端连接数据信号的输入端;第一PMOS晶体管(M1),源极连接高电平;第二PMOS晶体管(M2),源极连接高电平;第一NMOS晶体管(M3),漏极与所述第一PMOS晶体管(M1)的漏极连接于第一节点;第二NMOS晶体管(M4),漏极与所述第二PMOS晶体管(M2)的漏极连接于第二节点,栅极与所述第一NMOS晶体管(M3)的栅极相连接并接收所述时钟信号;第三NMOS晶体管(M5),漏极与所述第一NMOS晶体管(M3)的源极相连接,源极与第一反相器(I4)的输入端相连接;以及第四NMOS晶体管(M6),漏极与所述第二NMOS晶体管(M4)的源极相连接,源极与所述第一反相器(I4)的输出端相连接,栅极与所述第三NMOS晶体管(M5)相连接并连接到所述延时反向单元(In)的输出端,其中,所述第一节点与所述第二PMOS晶体管(M2)的栅极相连接,用于输出正向数据信号,所述第二节点与所述第一PMOS晶体管(M1)的栅极相连接,用于输出反的数据信号。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |