发明名称 |
半导体器件的制造方法和半导体器件 |
摘要 |
本发明提供了半导体器件的制造方法和半导体器件,方法包括:对依次生长有第一P型外延层、第二P型外延层和第一氧化层的衬底进行光刻、刻蚀处理,形成第一沟槽;通过第一沟槽的侧壁对第一P型外延层注入掺杂离子,使掺杂离子的注入区反型;在形成有第一沟槽的衬底表面淀积氧化物,将第一沟槽填满,形成第二氧化层,完成对第二氧化层的刻蚀处理;在完成对第二氧化层的刻蚀处理的衬底上制作栅极氧化层,完成对形成有栅极氧化物的衬底的填充、刻蚀处理,形成目标衬底结构,并在其上依次生长源区、介质层和金属层,完成半导体器件的制造。通过本发明的技术方案,有效地避免在N型区表面产生附加电荷,提高击穿电压,降低导通电阻以及器件的制作难度。 |
申请公布号 |
CN106298533A |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201510309719.8 |
申请日期 |
2015.06.08 |
申请人 |
北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
发明人 |
赵圣哲 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 |
代理人 |
尚志峰;汪海屏 |
主权项 |
一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括:对依次生长有第一P型外延层、第二P型外延层和第一氧化层的衬底进行光刻、刻蚀处理,以形成通过所述第一P型外延层、所述第二P型外延层和所述第一氧化层的第一沟槽;通过所述第一沟槽的侧壁对所述第一P型外延层注入掺杂离子,以使所述掺杂离子的注入区反型;在形成有所述第一沟槽的所述衬底表面淀积氧化物,将所述第一沟槽填满,以形成第二氧化层,并完成对所述第二氧化层的刻蚀处理;在完成对所述第二氧化层的刻蚀处理的所述衬底上制作栅极氧化层,并完成对形成有所述栅极氧化物的所述衬底的填充、刻蚀处理,以形成目标衬底结构,并在所述目标衬底结构上依次生长源区、介质层和金属层,以完成所述半导体器件的制造。 |
地址 |
100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 |