| 发明名称 | 一种高压芯片钝化层的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高压芯片钝化层的制造方法，包括：制造高压芯片正面；背面减薄加工；制造高压芯片钝化层；制造除背面减薄工艺的高压芯片背面。本发明提供的技术方案在高压芯片制造过程中，将钝化层工艺进行优化，减少芯片的应力，增强钝化层与芯片的粘合，提高钝化层在后续工艺及应用中的可靠性，提高高压芯片的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN106298693A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510240562.8 | 申请日期 | 2015.05.13 |
| 申请人 | 国网智能电网研究院;国网浙江省电力公司;国家电网公司 | 发明人 | 刘江;赵哿;高明超;王耀华;乔庆楠;吴迪;何延强;刘钺杨;曹功勋;李晓平;董少华;李立;金锐;温家良 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人 | 徐国文 |
| 主权项 | 一种高压芯片钝化层的制造方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：A、制造高压芯片正面；B、背面减薄加工；C、制造高压芯片钝化层；D、制造除背面减薄工艺的高压芯片背面。 | ||
| 地址 | 102211 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号（未来科技城） | ||