一种有机薄膜晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制作方法。该制作方法包括：提供一基板；在基板上形成有机半导体图案、与有机半导体图案两侧接触的源/漏极图案，其中，有机半导体图案包括与源/漏极图案接触的第一掺杂区和远离源/漏极图案的第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区具有不同的电导率。通过上述方式，本发明能够大大提高源/漏极图案与有机半导体图案的接触性，进而减少有机薄膜晶体管中的漏电问题。

主权项

一种有机薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作制作方法包括：提供一基板；在所述基板上形成有机半导体图案、与所述有机半导体图案两侧接触的源/漏极图案，其中，所述有机半导体图案包括与所述源/漏极图案接触的第一掺杂区和远离所述源/漏极图案的第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区具有不同的电导率；在形成有所述有机半导体图案和所述源漏极图案的所述基板上形成第一绝缘层、栅极图案、信号传输线、第二绝缘层和像素电极。