| 发明名称 | 一种近红外单光子雪崩光电二级管的参数优化方法及平台 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种近红外单光子雪崩光电二级管的参数优化方法及平台，相关方法包括：获取输入的近红外单光子雪崩光电二级管的在预定工作温度下的结构参数；根据结构参数并结合高斯方程计算近红外单光子雪崩光电二级管的电场分布，进而得到近红外单光子雪崩光电二级管倍增层各位置的雪崩概率；根据得到的雪崩概率与电场分布计算近红外单光子雪崩光电二级管的本征参数。该方案适合于所有采用分离吸收—渐变—电荷—倍增(SAGCM)异质结结构的III‑V材料体系，实现了单光子雪崩光电二极管结构参数和工作条件的全局优化。 | ||
| 申请公布号 | CN106299014A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201610670222.3 | 申请日期 | 2016.08.15 |
| 申请人 | 中国科学技术大学 | 发明人 | 张军;马健;白冰;李力;刘乃乐;潘建伟 |
| 分类号 | H01L31/107(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人 | 郑立明;郑哲 |
| 主权项 | 一种近红外单光子雪崩光电二级管的参数优化方法，其特征在于，包括：获取输入的近红外单光子雪崩光电二级管的在预定工作温度下的结构参数；根据结构参数并结合高斯方程计算近红外单光子雪崩光电二级管的电场分布，进而得到近红外单光子雪崩光电二级管倍增层各位置的雪崩概率；根据得到的雪崩概率与电场分布计算近红外单光子雪崩光电二级管的本征参数。 | ||
| 地址 | 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号 | ||