一种N型单晶双面电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种成片率高且光电转换效率好的N型单晶双面电池的制备方法，包括如下步骤：硅片正面制绒后进行B扩散，正面制绒具体为：先用激光在硅片正面形成金字塔结构，氮气清洁干净后，加热硅片到70°~80°，利用超声波雾化在硅片正面沉积NaOH小液滴，经过2~4分钟腐蚀后形成金字塔绒面结构；进行湿法蚀刻，去除硅片背面、边缘形成的自扩散层，然后沉积SiN_X掩膜；对硅片背面进行P扩散后，等离子蚀刻边缘的自扩散层，并用腐蚀液进行清洗，去除表面SiN_X掩膜层和磷硅玻璃层；利用ALD方式形成硅片正面Al₂O₃钝化膜，并在硅片正面沉积SiN_X保护膜、在硅片背面沉积SiN_X减反膜；在丝网印刷形成电极进行烧结。

主权项

一种N型单晶双面电池的制备方法，具体包括如下步骤：S1在硅片正面制绒，然后进行B扩散；S2进行湿法蚀刻，去除硅片背面、边缘形成的自扩散层；S3然后采用PEVCD设备在B扩散层上面沉积SiN_X掩膜；S4对硅片背面进行P扩散；S5等离子蚀刻硅片边缘的自扩散层，接着用腐蚀液对硅片进行清洗，去除硅片表面SiN_X掩膜层和磷硅玻璃层；S6利用ALD方式形成硅片正面Al₂O₃钝化膜，然后在硅片正面沉积SiN_X保护膜、在硅片背面沉积SiN_X减反膜；S7在硅片的正面和背面分别进行丝网印刷形成电极，然后烧结；其特征在于，步骤S1所述在硅片正面制绒的具体方法为：先用激光在硅片正面形成金字塔结构，并用氮气清洁干净，然后加热硅片到70°~80°，利用超声波雾化技术在硅片正面沉积一层均匀、不连续的NaOH小液滴，经过2~4分钟腐蚀后在硅片正表面形成金字塔绒面结构。