| 摘要 |
반도체 장치의 제조 방법은 기판 상에 상부 몰드막, 보잉 방지막, 및 상부 지지막을 차례로 형성하는 것, 건식 식각 공정을 이용하여 상기 상부 몰드막, 상기 보잉 방지막, 및 상기 상부 지지막을 관통하는 스토리지 노드 홀을 형성하는 것, 상기 스토리지 노드 홀 내에 하부 전극을 형성하는 것, 상기 상부 지지막 및 상기 보잉 방지막을 패터닝하여 상기 상부 몰드막의 일부를 노출하는 것, 제1 습식 식각 공정을 이용하여 상기 상부 몰드막 및 상기 보잉 방지막을 제거하는 것, 및 상기 하부 전극을 덮는 유전막 및 상부 전극을 차례로 형성하는 것을 포함한다. 상기 건식 식각 공정에 대하여, 상기 보잉 방지막은 상기 상부 지지막과 실질적으로 동일한 식각 속도를 갖는다. 상기 제1 습식 식각 공정에 대하여, 상기 보잉 방지막은 상기 상부 지지막보다 큰 식각 속도를 갖는다. 상기 상부 지지막의 두께와 상기 보잉 방지막의 두께의 합은 상기 스토리지 노드 홀의 깊이의 15% 내지 25%이다. |
