| 发明名称 | 对富锂层状氧化物正极材料的掺杂方法、材料和制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种对富锂层状氧化物正极材料的掺杂方法、材料和制备方法，所述方法包括：利用二价及以上的阳离子M<sup>n+</sup>，部分取代富锂层状氧化物中锂层的锂离子Li<sup>+</sup>，得到含有掺杂元素的富锂层状氧化物正极材料。 | ||
| 申请公布号 | CN106299328A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510246143.5 | 申请日期 | 2015.05.14 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 冯欣;王兆翔;陈立泉 |
| 分类号 | H01M4/485(2010.01)I;H01M4/505(2010.01)I;H01M4/525(2010.01)I | 主分类号 | H01M4/485(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 | 代理人 | 陈霁 |
| 主权项 | 一种对富锂层状氧化物正极材料的掺杂方法，其特征在于，所述方法包括：利用二价及以上的阳离子M<sup>n+</sup>，部分取代富锂层状氧化物中锂层的锂离子Li<sup>+</sup>，得到含有掺杂元素的富锂层状氧化物正极材料。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||