一种外延生长方法及掩埋异质结构的外延层

摘要

本发明涉及一种外延生长方法及掩埋异质结构的外延层，包括以下步骤：S1、生长n/p/n/p InP或InGaAsP层的部分或全部；S2、通过掩埋、干法或湿法刻蚀所需要外延生长的形状模型；S3、在形状模型内生长外延结构中所有含Al的材料。本发明先形成n/p/n/p结构的部分或全部，再刻蚀出需要生长的外延层形状，然后在其中生长外延层。利用本发明的方法，可有效结合AlGaInAs/InP材料和BH技术的优点，生长出一种高效激光器外延结构，达到避免Al氧化，降低俄歇复合，带间吸收，改善器件高温特性的作用，同时减小激光器阈值电流密度，提高有源层材料的特征温度以及有源区量子阱的外量子效率、内量子效率和转换效率。

主权项

一种外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、生长n/p/n/p InP或InGaAsP层的部分或全部；S2、通过掩埋、干法或湿法刻蚀所需要外延生长的形状模型；S3、在形状模型内生长外延结构中所有含AL的材料。