| 摘要 |
누설 전류를 경감시켜 동작 성능 및 신뢰성을 향상시킨 반도체 장치를 제공하는 것이다. 상기 반도체 장치는 서로 마주보는 제1 단변 및 제2 단변을 포함하는 핀형 패턴, 상기 제1 단변에 접하도록 형성되는 제1 트렌치, 상기 제2 단변에 접하도록 형성되는 제2 트렌치, 상기 제1 트렌치 내에 형성되고, 상기 제1 단변으로부터 순차적으로 위치하는 제1 부분과 제2 부분을 포함하는 제1 필드 절연막으로, 상기 제1 부분의 높이는 상기 제2 부분의 높이와 다른 제1 필드 절연막, 상기 제2 트렌치 내에 형성되는 제2 필드 절연막, 및 상기 제1 필드 절연막의 제1 부분 상에 배치되는 제1 더미 게이트를 포함한다. |
