| 摘要 |
Predmetom vynálezu je optimalizovaná geometria elektród, vhodné maskovanie oxidovanej polovodičovej dosky, ktorá je na kladnom potenciáli (kladnej elektróde) proti plazme, ako aj priestorové lokalizovanie oboch elektród vzhľadom na plazmu. Geometria elektród sa dá optimalizovať pre každý rozmer aj tvar oxidovanej polovodičovej dosky či vrstvy deponovanej na vodivú či nevodivú podložku, pričom je nutné navzájom prispôsobiť základný rozmer oblasti budenej plazmy, veľkosť opracovávanej polovodičovej dosky, výšku kladného potenciálu na ktorej je oxidovaná doska, či vrstva, ako aj jej teplotu. Pri oxidácii polovodivých a kovových vrstiev nanesených na nevodivých podložkách je nutné zabezpečiť dodatočnou úpravou ich vodivý kontakt so zdrojom elektrického napätia, čo je takisto predmetom vynálezu. |
