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发明名称
MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING THE SAME
摘要
반도체 메모리 장치가 개시된다. 반도체 메모리 장치는 기판 상의 그래핀층, 그래핀 층 상에 적층된 게이트 전극들, 게이트 전극들을 관통하여 상기 그래핀층과 연결되는 산화물 반도체 패턴 및 게이트 전극들과 산화물 반도체 패턴 사이에 제공되는 정보 저장막을 포함한다.
申请公布号
KR20170000462(A)
申请公布日期
2017.01.03
申请号
KR20150089291
申请日期
2015.06.23
申请人
삼성전자주식회사
发明人
김택성;강진태;오관영;장태석
分类号
H01L27/115;H01L29/786
主分类号
H01L27/115
代理机构
代理人
主权项
地址
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