SEMICONDUCTOR DEVICES AND THE METHOD OF FORMING THE SAME

摘要

반도체 소자의 제1 질화물 반도체층은 기판 상에 제공되고, 제2 질화물 반도체층은 제1 질화물 반도체층 상에 제공되고, 제1 오믹메탈 및 제2 오믹메탈은 제2 질화물 반도체층 상에 제공되고, 리세스 영역은 제1 오믹메탈과 제2 오믹메탈 사이의 제2 질화물 반도체층 내에 제공되고, 패시베이션층은 제1 오믹메탈의 측면 및 리세스 영역의 하부면과 측면을 덮고, 쇼트키 전극은 제1 오믹메탈 상에 제공되고, 리세스 영역의 내부로 연장된다.